(495)510-98-15
Меню
Главная »  Классификация электронных систем 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 [ 92 ] 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184

рис. 4.13. Устройство, схема которого дана на рис. 4.13, а, рассчитано на включение фотоэлементом через электромагнитное реле Р контакта К, когда уровень освещенности достигает некоторого верхнего предела. Фотоэлемент Ф и включенное с ним последовательно нагрузочное сопротивление RH образуют делитель напряжения со средней точкой С, присоединенной к сетке усилительной лампы. С увеличением освещенности ток в фотоэлементе нарастает. Это приводит к уменьшению (по модулю) отрицательного потенциала на сетке лампы. Ток в лампе при этом увеличивается. Когда он достигает значения тока срабатывания реле Р, контакты последнего замыкаются, и вступает в действие измерительная или исполнительная цепь.


Рис. 4.13. Фоторелейные схемы: а) с электронным фотоэлементом, питаемым постоянным напряжением, б) с ионным фотоэлементом, питаемым неременным напряжением

При присоединении фотоэлемента вместе с отдельным источником питания параллельно сопротивлению Ra и введению последовательно с RH положительного смещения срабатывание реле может быть достигнуто и при спаде освещенности до некоторого минимума.

В тех случаях, когда введение источника постоянного напряжения (выпрямителя), питающего фотореле, заметно удорожает устройство., его можно питать и переменным напряжением. Схема одного из возможных простейших исполнений фотореле при таком питания приведена на рис. 4.13, б. Последовательно с фотоэлементом (который для повышения выходного тока взят ионным) включен конденсатор С. С изменением освещенности изменяется ток в фотоэлементе. Это изменяет напряжение на конденсаторе С и смещает фазу сеточного напряжения лампы по отношению к анодному. Таким путем регулируется длительность проводящего интервала в пределах положительного полупериода и тем самым среднее значение анодного тока лампы. Когда это значение тока достигает тока срабатывания реле, контакты замыкают цепь контролируемого узла.



Простейшие фоторелейные схемы с фотосопротивлениями приведены на рис. 4.14, а и в. В первой схеме питание осуществляется от источника постоянного, а во второй - от источника переменного напряжения. Так как фототоки здесь много больше, чем у фотоэлементов с внешним фотоэффектом, при маломощных реле можно получить нужные токи срабатывания и без промежуточных усилителей, что заметно упрощает и удешевляет устройство. Изменение тока при переходе от затемненного состояния фотосопротивления к освещенному обеспечивает здесь (даже при относительно малых световых потоках) надежное управление объектами контроля. На-

<0 б)


Рис. 4.14. Фоторелейные схемы с фотосопротивлеинями: а - питаемые постоянным напряжением; б - питаемые переменным напряжением, е - выходные характеристики

нример, при использовании фотосопротивления из сернистого кадмия (типа ФС-KI) напряжение на нагрузочном сопротивлении подвышается при световом потоке Ф = 2,75 10~3 лм от значений, характеризуемых пунктирной кривой, до значений, определяемых сплошной кривой (рис. 4.14, б).

§ 4J. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ТЕРМОСОПРОТИВЛЕНИЯ (ТЕРМИСТОРЬ!)

Полупроводниковые термосопротивления воспринимают тепло от тел, температура которых контролируется, через теплопроводность, конвекцию или лучеиспускание. Под действием тепловых квантов (фононов) увеличивается число свободных носителей в термосопротивлении, в связи с чем электрическое сопротивление его уменьшается.

Изготовляются термосопротивления из поликристалличёских полупроводниковых материалов, обладающих главным образом электронной проводимостью и значительным отрицательным температурным коэффициентом. К таким материалам в первую очередь




относятся окислы металлов (железа, никеля, марганца, кобальта, магния и титана). После прессовки порошков этих окислов и их смесей вместе со связующим составом термосопротивлениям придают формы и размеры, которые в наиболее полной степени отвечают условиям, в которых они применяются.

Общий вид некоторых видов серийно выпускаемых промышленностью термосопротивлений приведен на рис. 4.15. На рис. 4.15, а дан внешний вид малогабаритного термосопротивления (тип ТОС-М), выполняемого в виде небольшой таблетки, имеющей малую теплоемкость. Оно применяется главным образом в цепях измерения и

регулирования температуры. Малая теплоемкость способствует быстрому выравниванию температуры термосопротивления и окружающей среды.

На рис. 4.15, б показано малогабаритное термосопротивление типа Т-8, применяемое для измерения мощности в области сверхвысоких частот, величина которой определяется по изменению сопротивления. Оно заключено в герметически закрытую стеклянную трубку, из которой удален воздух. Размещение в вакууме предупреждает отдачу тепла окружающей среде через теплопроводность и конвекцию. Большее по габаритам термосопротивление типа ТП-2, показанное на рис. 4.15, в, также заключено в вакуумный баллон. Оно используется в низковольтных цепях для стабилизации напряжения.

Показанное на рис. 4.15, г термосопротивление типа ТКП отличается от сопротивления типа ТП тем, что оно окружено электрически изолированным нагревателем. Косвенный подогрев используется здесь для связи между двумя раздельными цепями, одна ,из которых является контролируемой, а другая - управляющей.

Перечисленные основные типы термосопротивлений имеют конструктивные варианты, отличающиеся электрическими параметрами, а иногда и характеристиками.

Основной характеристикой термосопротивления является температурная. Семейство характеристик, относящихся к разным типам термосопротивлений, приведено на рис. 4.16, а. Резко выраженная температурная зависимость сопротивления термисторов приводит к значительной нелинейности их вольт-амперных характеристик (рис. 4.16, б).


.Рис. 4.15. Термосопротивления:

а - малогабаритное типа ТОС-М, применяемое в измерительных цепях; б - вакуумное малогабаритное типа Т-8 для высокой частоты; е - термосопротивление типа ТП-2, применяемое в цепях стабилизации; г - термосопротивление косвенного нагрева типа Т-8



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 [ 92 ] 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184



© 2018 ООО "Стрим-Лазер": Лазерная гравировка.
Все права нотариально заверены. Копирование запрещено.