(495)510-98-15
Меню
Главная »  Классификация электронных систем 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 [ 34 ] 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184

ставляющим входного тока отвечают одноименные составляющие тока в выходной цепи:

= кп ~\~ 1~к

Связь между переменными составляющими эмиттерного, коллекторного и базового токов определяется дифференциальными параметрами триода.

Дифференциальный коэффициент передачи тока от эмиттера к коллектору

(2.13)

Дифференциальный коэффициент передачи тока от базы к коллектору

(2.13а)-

diK diK

1 di6 di3 di3 - diK 1 - a *

Дифференциальный коэффициент, связывающий эмиттерный ток с базовым,

jr8- = - у = т^- = Р + 1. (2.136)

dt6 dia - diK 1 - a 1 1 v

При малых изменениях переменных величин (для которых дей- ствительны дифференциальные параметры) они обозначаются через 1Э и Ыэ, г к и ык, г'6 и ыб.

Связь между ними всегда может учитываться как линейная и может быть выражена аналитически с помощью уравнений и соответствующих им эквивалентных электрических схем, отражающих физические свойства реальных триодов.

Эквивалентная схема триода, соответствующая его включению по схеме с ОБ, приведена на рис. 2.18, а. Схема представляет собой сочетание двух контуров: левого, относящегося к входной цепи эмиттер - база, и правого, относящегося к выходной цепи коллектор - база. Общей ветвью у них является цепь базы с сопротивлением Гб.

Эмиттерное дифференциальное- сопротивление гэ является эквивалентом, с помощью которого учитывается связь между напряжением на эмиттерном переходе иэ и проходящим через него током с3. Значение гь может быть найдено из производной первого слагаемого выражения (2.10а) по ib. При комнатной температуре

Гэ = ?1 = 01026 [qm]: (213в)

Из (2.13в) следует, что гэ является нелинейным сопротивлением, поскольку его значение зависит от эмиттерного тока. Численное значение гь лежит в пределах единиц и десятков ом.

Генератор напряжения во входной цепи \iUK отражает влияние модуляции базы на входную цепь. Это влияние, как указывалось [см. формулу (2.12а)], сводится к изменению входного напряжения



д{/ = {хЛс/к. Численное значение р, очень мало (обычно в предах Jo-4 Ю-3), поэтому генератор напряжения обратной связи

эквивалентную схему часто, не вводят.

Общая ветвь входной и выходной цепей в эквивалентной схеме содержит омическое сопротивление гё, представляющее собой объемное сопротивление базы, учтенное в направлении прохождения базового тока.

Выходная цепь в этой схеме содержит: а) эквивалентный генератор тока а1~ъ, с помощью которого учитывается транзитная составляющая тока в коллекторном переходе; б) эквивалентное сопротивление гк, включенное параллельно генератору тока, с помощью которого учитывается влияние модуляции базы на коэффициент передачи тока а. Это позволяет коэффициент передачи тока


01 30-

02 V-0-


Рис. 2.18. Эквивалентная схема транзистора при включении его по схеме с ОБ (о) н общая схема транзистора как четырехполюсника (б)

в генераторе а1 э считать величиной неизменной. Пользование переменным коэффициентом а осложнило бы расчеты.

Численное значение гк зависит от сЛ~к и w и обратно пропорционально, так же как и гэ, эмиттерному току [4]. При /э = 1 ма значение гк лежит в пределах от 0,5-1 Мом.

Кроме активных сопротивлений, в эквивалентную схему входят также емкости эмиттерного Сэ и коллекторного Ск переходов. У каждого из них различают две емкости: барьерную С6, возникающую вследствие изменения объемных зарядов в р-п-переходе при изменении напряжения на нем, и диффузионную Сдиф, с помощью которой учитывается количественное изменение зарядов, накапливаемых в базе при изменении тока в триоде под воздействием напряжения на переходе (присоединение этих емкостей в эквивалентной схеме показано пунктиром).

Влияние коллекторной емкости. Ск = Скб + Ск диф начинает заметно сказываться на режиме работы усилительного каскада в области повышенных частот. Так, при гк = 0,5 - 1 Мом влияние коллекторной емкости Ск начинает сказываться при частотах порядка 5-10 кгц, когда параллельно действующее с ним в выходном контуре нагрузочное сопротивление Rn близко по порядку величины Кгк.(режим, близкий к холостому ходу). Когда же значение сопро-



тивления меньше и лежит в пределах 5-10 ком, влияние коллекторной емкости начинает сказываться только при частотах, превышающих несколько десятков килогерц.

Влияние эмиттерной емкости Сэ, зашунтированной очень малым сопротивлением гэ, сказывается при частотах, превышающих мегагерцы.

С переходом режима в область повышенных и высоких частот, когда период у входного сигнала становится соизмеримым с временем пролета зарядов через базу, коллекторный г'к и базовый Ц токи отличаются по фазе от эмиттерного тока. В этом режиме коэффициент передачи тока становится величиной комплексной (£), у которой изменяются и модуль и аргумент.

Та частота, при которой модуль коэффициента передачи тока а уменьшается в /1Г раз, называется граничной fa. Она входит в число основных параметров триода. По ней судят о его частотных свойствах.

Когда / 1 Мгц, триоды относят к низкочастотным. При значениях fa, лежащих в пределах 1-20 Мгц, триоды являются средне-частотными, а при частотах 20-200 Мгц и более - высокочастотными.

Параметры триода, входящие в эквивалентную Т-образную схему рис. 2.18, а, называют внутренними (физическими), поскольку они непосредственно отражают физические свойства триодов. Их можно найти расчетным путем по геометрическим размерам слоев и физическим свойствам материалов, из которых изготовлен триод. Однако измерить их затруднительно, так как границы раздела внутренних слоев и переходов в триоде недоступны для присоединения к измерительным приборам. Это привело к тому, что в качестве измеряемых параметров триода выбраны те, которые хаг рактеризуют свойства триода как четырехполюсника (точнее, трех-полюсника).

Электрический режим четырехполюсника (рис. 2.18, б) характеризуется, как известно, четырьмя измеряемыми извне величинами (входными током /х и напряжением Ох, выходными током /2 и напряжением 02) независимо от электрической схемы внутренних соединений четырехполюсника.

Внутренняя схема соединений у данного прибора, рассматриваемого как четырехполюсник, отражается лишь на тех аналитических выражениях, которые связывают между собой параметры четырехполюсника с физическими параметрами прибора.

Если из четырех величин, характеризующих триод как четырехполюсник, измерены входной ток /х и выходное напряжение 0.2 (которые наиболее удобны для измерения), то две другие зависимые от них величины Ог и /2 могут быть найдены из уравнений

Ui = hni1 + h12U2.

1% - -f 222 ~

(2.14) (2.15)



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 [ 34 ] 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184



© 2018 ООО "Стрим-Лазер": Лазерная гравировка.
Все права нотариально заверены. Копирование запрещено.