(495)510-98-15
Меню
Главная »  Классификация электронных систем 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 [ 154 ] 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184

кривой, приведенной на рис. 1.6, ас другой - предельными значениями напряженности поля, при которой появляется электростатическая эмиссия.

Лавинно развивающийся процесс размножения носителей зависит от протяженности междуэлектродного промежутка и давления (плотности) ртутного пара в этом промежутке. Чем меньше длина промежутка и ниже плотность пара, тем выше, как это следует из хода кривой на рис. 1.6, пробивное напряжение. Предел уменьшению протяженности междуэлектродного промежутка кладет возрастание напряженности поля у поверхности анода, при которой появляется электростатическая эмиссия.

В какой мере можно повышать напряжение на электродах плоского промежутка с увеличением его длины (при учете обоих факторов, влияющих на развитие электрического пробоя), можно судить по кривым, приведенным на рис. 7.44, б. Кривая / является граничной по условию возникновения заметной электростатической эмиссии между стальными электродами. Кривые 2,3, 4 и 5 являются граничными по условию возникновения самостоятельного разряда из-за лавинного размножения носителей при разных значениях давления пара в промежутке.

Из приведенных кривых видно, что при стальных электродах и допустимом (по условию горения дуги) минимуме давления (1,5-5-2,-0) Л0~2 мн/см2 оптимальная длина междуэлектродного промежутка примерно равна 1 см. При этом может быть достигнуто пробивное напряжение Unv, примерно равное 50 кв, когда плотность обратного тока не превышает/ыпах = = 3 ма/см2. Пробивное напряжение может быть повышено до 75 кв, когда плотность обратного тока не превышает Лтах = 1,5 ма/см2. При равномерном распределении напряжения по промежуткам с й = \см можно было бы ограничиться, создавая вентиль на обратное напряжение 150 кв с двумя-тремя последовательно включенными промежутками в зависимости от возникающей плотности обратного тока. Но так как добиться требующейся равномерности в распределении напряжения между промежутками практически не удается, тем более когда в междуэлектродных промежутках имеются остаточные заряды (этап деионизации), то в анодный узел вентилей, изготовляемых на рабочее напряжение 100 кв (испытательное напряжение 150 кв), вводится пять промежутков, разделенных, как показано на рис. 7.45, четырьмя вставками. Вставки с неперекрывающими отверстиями присоединены к боковым цилиндрам анодного узла.


Рис. 7.45. Анодно-се-точный узел в высоковольтном ртутном вентиле



Ниже анодных вставок расположен сеточный узел. Он состоит из: 1) управляющей сетки С, 2) верхней экранирующей сетки С^, вводимой для ослабления анодного поля вблизи управляющей сетки, чем обеспечивается малый наклон сеточной характеристики, и 3) де-ионизационного фильтра Ф, ограничивающего приток зарядов к управляющей сетке снизу, что позволяет уменьшить напряжение смещения Ес0.

Минимально необходимой равномерности в распределении напряжения между анодом, вставками и катодом (но не по промежуткам) удается добиться при применении внешних делителей напряжения (рис. 7.46, а): омического (с секциями Rx) и омически-емкост-

Долиотиак,%


Рис. 7.46. Распадение плазмы в анодно-сеточном узле после гашения дуги (а) и кривые распределения напряжения между вставками и промежутками (б)

ного (с сопротивлениями в секции R0 и конденсаторами Сх). Распределение напряжения по вставкам при наличии таких делителей показывает прямая 3 на рис. 7.46, б. На оси абсцисс отложены расстояния между занумерованными равноудаленными вставками и электродами, а на оси ординат отложены доли от полного анодного напряжения в процентах:

В период деионизации, когда в промежутках между вставками сохраняются остаточные заряды распавшейся плазмы, потенциалы в сеточных отверстиях отличаются от потенциалов вставок, так как стенки вставок окружены ионными оболочками. Лишь по мере исчезновения оболочек (что имеет место вначале в верхних вставках, а затем в нижних) потенциал в сеточных отверстиях становится равным потенциалам вставок.

Распределение потенциалов по осям сеточных отверстий для двух промежуточных моментов времени после гашения дуги иллюстрируют кривые 1 и 2, также нанесенные на рис. 7.46, б.



Кривая 1 относится к промежуточному моменту, когда нижние вставки еще окружены плазмой, а верхние окружены ионными оболочками. Около 60% напряжения от начального скачка Ub0 воспринимает в рассматриваемый момент времени, как показывает кривая 1, промежуток между анодом и вставкой Вг и около 35% - промежуток между вставками Въ и В2. Потенциал на нижних вставках Ва


Рис. 7.47. Высоковольтный ртутный выпрямитель:

a - разрез; б - внешний вид

и В4, окруженных плазмой, мало отличается от катодного. В момент, которому отвечает кривая 2, когда освободилась от плазмы также вставка В3, начальный скачок напряжения Ub0 распределяется уже по трем промежуткам, в связи с чем доля напряжения на каждом из них уменьшается. В момент, близкий к окончанию деионизации, распределение напряжения по промежуткам мало отличается от распределения его по вставкам (прямая 3).

Вставки в анодном узле повышают электрическую прочность междуэлектродного промежутка при максимальном значении анодного напряжения, когда остаточной плазмы уже нет.



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 [ 154 ] 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184



© 2018 ООО "Стрим-Лазер": Лазерная гравировка.
Все права нотариально заверены. Копирование запрещено.