(495)510-98-15
Меню
Главная »  Классификация электронных систем 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 [ 145 ] 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184

к нулю t0, а в более поздний момент времени tx. Интервал t0 - tt требуется для того, чтобы концентрации избыточных зарядов в базах тиристора на границе с эмиттерными переходами снизились бы от уровня, соответствующего режиму насыщения (см. рис. 6.27, а), до равновесных значений. Обратный ток в тиристоре достигает к моменту tt максимального значения /йперехтах.

После момента ty обратный ток переходного режима /йперех (избыточный обратный ток) спадает постепенно до стационарного значения /й, достигая его примерно в момент t2.

Снижение избыточного обратного тока /ЙПерех ДО установившегося значения 1Ь еще не означает, что все избыточные носители исчезли в базах. В глубинных слоях баз (см. рис. 6.27, а) остаются еще заряды, исчезающие в процессе их рекомбинации. При раннем возобновлении на тиристоре положительного напряжения эти заряды могут при. заметной их концентрации положить начало преждевременному открытию тиристора (см. пунктирные кривые ia и Диа на рис. 7.24, а и б). Это нарушает нормальный режим работы преобразовательной системы. Преждевременному открытию тиристора может способствовать также емкостный ток, проходящий через коллекторный переход на этапе снижения обратного напряжения (44) и подъеме прямого напряжения (4 4)- Чем быстрее изменяются во времени обратное и прямое напряжения, тем емкостный ток больше (см. рис. 6.25, б).

При близком к полному исчезновению избыточных зарядов в глубинных слоях баз и умеренных значениях емкостного тока в коллекторном переходе (что Имеет место при относительно небольших зна-

чениях -~ и -vf) исключается преждевременное повторное откры-

тие тиристора (сплошной участок кривой Ua на рис. 7.24, б и нулевой участок тока на рис. 7.24, а).

Необходимое время для восстановления запертого состояния тиристора tb исчисляется обычно от момента прохождения прямого тока /а через нуль до момента возможного перехода к положительным значениям анодного напряжения без преждевременного открытия тиристора. Для полного исчезновения избыточных зарядов после спада обратного тока /й перех нужен дополнительный интервал времени /8- tt, равный t0 - tcn.

Численное значение времени восстановления /е зависит от геометрических и физических свойств структуры тиристора, от проходившего через прибор анодного тока /а, скорости убывания обратного напряжения Ua, а также температуры кристалла Tj. С ростом анодного тока и температуры Tj время восстановления увеличивается, как это показывает семейство пунктирных кривых на рис. 7.25 [67]. С ростом анодного напряжения время восстановления te, наоборот, уменьшается. Это уменьшение особенно заметно в диапазоне малых абсолютных значений напряжений (ниже 50 в).




Время восстановления tB входит в число основных параметров тиристора. От его численного значения зависят частотные свойства тиристора.

Мощность, теряемая в тиристоре от избыточного обратного тока tc , может быть найдена по приближенному равенству [62]

ЛРвык = CtJJblb перех maxi (7.1 /)

где а3 - числовой коэффициент, значение которого лежит в пределах от 0,03 до 0,2. В первом приближении время спада избыточного обратного тока tcn может быть принято равным 4-5 постоянных времени жизни носителей в базе.

1д,мксек

- 1/6

---1а

115%

,115

С

100 С

С

-...

-.

50 С

-h-50 С

О 100 ZOO 300 ООО 500Ub,B

О 100 ZOO 300 ООО 5001а,а

Рис. 7.25. Кривые зависимости времени восстановления от тока, напряжения и температуры

Суммарные потери мощности

APS = APBKJI + ДРВЬ1К. (7.18)

ж) Характеристики и параметры цепи управления

Характеристики управления мощных тиристоров в принципе не отличаются от приведенных на рис. 6.30, б и 6.31, а и б. Разница только в числовых значениях тока управления и несколько более сильно выраженном влиянии температуры в связи с относительно более высоким значением тепловой мощности, выделяющейся в тиристоре.

Требующиеся амплитуды импульсов тока управления тиристоров типа ВКДУ-150 в функции от длительности импульсов иллюстрируют кривые, приведенные для трех температур корпуса: Тк = = П0е- С, TR = 20° С и Тк = -40е С на рис. 7.26, а. На оси ординат отложены относительные значения тока управления /У(+)В процентном исчислении к установившемуся значению тока управления,



которое соответствует минимуму тока в приведенном семействе кривых. Установившееся значение тока управления определяет и требующийся ток в режиме статического управления. Повышение амплитуды тока управления, приводящее к сокращению времени

задержки t3 и к возможности повышения-.целесообразно до тех

пор, пока длительность входного импульса не становится меньше 5-10 мксек, так как развитие начальной стадии регенеративного этапа должно происходить при наличии пускового импульса.

Связь между токами и напряжениями в цепи управления (измеренными непосредственно на входных зажимах цепи управления) показывают входные характеристики, измеренные у одного из тиристоров типа ВКДУ-150 при трех температурах корпуса (рис. 7.26, б). Значения токов и напряжений в режиме статического управления

50 Ш 350 300 2S0 Z00 150 100 50

у 110 с

У

Z0°C

-UOC

Уум,в 24 ZD 16 1Z 8

°c

20°

W ZO WO ZOO WOOt, мксек +20X 500 WOO 1500 ly,Ma

Рис. 7.26. Кривые зависимости амплитуды тока управления от длительности импульса (а), входные характеристики цепи управления (б)

соответствуют на этом рисунке значениям, ограниченным пунктирными прямыми на начальных участках характеристик. Из расположения пунктирных горизонталей на рис. 7.26, б видно, что при более низких температурах корпуса тиристора требуется более высокое значение напряжения управления с/у(+) (в связи с большим значением /у(+)), несмотря на то, что входная характеристика при этой температуре расположена ниже других.

При коротких импульсах тока управления точки, определяющие токи и напряжения управления, перемещаются вверх по кривым в соответствии с теми значениями тока, которые определяются кривыми рис. 7.26, а.

Когда к общему источнику управления присоединено несколько тиристоров (в частности, тиристоры, соединенные последовательно и параллельно), то надежное включение всех приборов обеспечивается тогда, когда внешняя характеристика источника управления, при статическом режиме (прямая / на рис. 7.27) расположена выше пунктирных прямоугольников, а при импульсном управлении (прямая 2 на том же рисунке) охватывает максимальную протя-



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 [ 145 ] 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184



© 2018 ООО "Стрим-Лазер": Лазерная гравировка.
Все права нотариально заверены. Копирование запрещено.