Рис. 6.6. Типовые формы токовых кривых при взрыве проводников: а - взрывное испарение проводника (т0 - т3) и вторичного пробоя с момента времени т4; т0 - Т! - быстрый нагрев и плавление проводника; тх - т2 - фазовый переход (взрыв проводника); т2 - т3 - исчезновение металлической проводимости; т3 - т4 - пауза тока - слабый ток поддерживается за счет термоионной и термоэлектронной ионизации электронами и ионами; б- единичный короткий взрыв (пауза тока отсутствует), когда момент фазового перехода (взрыва) наступает на восходящем участке кривой (тонкий проводник); в - единичный короткий взрыв, когда момент фазового перехода наступает на нисходящем участке кривой (толстый проводник); г - остаточного напряжения на конденсаторной батарее недостаточно для образования вторичного пробоя (пауза тока бесконечна)

6.5. Значения параметров для расчета размеров проводника

6.6. Расчет параметров МИО (МЭИО) [9, 11]

Параметр

Зависимость

Полезная энергия поля, затраченная на деформирование

R73 = 0,5 J Я dLw

кпд мио

Глубина проникновения магнитного поля в обрабатываемый материал

6П= 12/(01x3) (6 3

Зазор между индуктором и заготовкой

6р=6г+0,5(6в + 68)

Примечания: 1 В формулах Р. - активное сопротивление установки; Ди 3 - активное сопротивление цепи индуктор-заготовка; - собственная индуктивность установки (в режиме-короткого замыкания); Ьи 3 - индуктивность цепи индуктор-заготовка;

Тр - длительность разряда; p,Q - магнитная постоянная; - коэффициент пропорциональности, зависящий от геометрических параметров цепи индуктор-заготовка и координат точки, в которой рассчитывается давление; kz - коэффициент, учитывающий соотношение геометрических параметров цепи индуктор-заготовка; Д£,и 3 - приращение индуктивности цепи индуктор-заготовка за счет деформиро-ания заготовки; %s - удельная электропроводность материала заготовки; 6р - зазор между индуктором и заготовкой; Си, С3 - глубина проникновения поля для материалов индуктора и заготовки соответственно, определяемая по формуле (6.3). 2. Условием для протекания периодического разряда является /?р к < 2/ Lp К/Сб-

Г

I Чл !

о ~3808 <>J

Рис. 6.7. Принципиальная схема МИО;

1 - генератор импульсов тока; 2 - индуктор; 3 t- заготовка; 4 = матрица