(495)510-98-15
Меню
Главная »  Классификация электронных систем 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 [ 29 ] 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184

переменной составляющей поля анода внутри лампы в пространстве между сеткой Q й катодом. Это приводит к ослаблению проходной емкости Сса.

Через сопротивление R3 экранирующей сетке Са сообщается положительный потенциал (лежащий в пределах от 0,6 до 1 от £/а0), который в пространстве сетка Сх - катод создает примерно такое же постоянное ускоряющее поле, которое в триоде создается положительным анодом.

Благодаря малому емкостному сопротивлению по отношению к переменной составляющей тока конденсатор Сэ вместе с сопротивлением Rs действуют, кроме того, как сглаживающий фильтр, ослабляя пульсации переменной составляющей напряжения на


ч

Рис. 2.9. Включение тетрода в цепь питания (а) и схематическое изображение лучевого тетрода (б):

/ - анод; 2 - экранирующая пластина; 3 - катод; 4 - управляющая сетка; 5 - экранирующая сетка

экранирующей сетке. Такие пульсации могли бы возникнуть в связи с колебаниями в режиме усиления электронного потока, принимаемого экранирующей сеткой.

Ослабление поля анода в пространстве сетка Q - катод приводит также к повышению коэффициента усиления р, у тетрода, поскольку необходимо в большей мере увеличивать анодное напряжение по сравнению с сеточным, чтобы получить одно и то же изменение анодного тока.

Наряду с указанными преимуществами введение экранирующей сетки С2, которой сообщается положительный потенциал, привело и к отрицательному эффекту, заключающемуся в снижении при некоторых значениях анодного напряжения анодного тока в лампе.

то обусловлено уходом от анода в этом диапазоне напряжений электронов, возникающих при так называемой вторичной эмиссии. Явление вторичной эмиссии заключается в отдаче (эмиссии)

т°Ричных электронов поверхностью твердых тел при бомбарди-ruBKe ее первичными электронами. В зависимости от уровня энер-

Ии первичных электронов число вторичных электронов можег быть



меньше и больше числа первичных электронов. Вторичная эмиссия появляется у анодов электронных ламп и, в частности, у диодов и триодов, когда энергия первичных электронов превышает несколько десятков вольт. Но если вблизи анода нет поверхностей с более высокими положительными потенциалами, вторичные электроны, покинувшие анод, вновь к нему возвращаются, и в этом случае на анодном токе не сказывается вторичная эмиссия. Если же вблизи анода расположена, как это имеет место в тетродах, положительная экранирующая сетка, то вторичные электроны уходят от анода к сетке, в связи с чем анодный ток снижается (динатрон-ный эффект), и в анодных характеристиках появляется провал. Нарушение плавности хода характеристики сильно нарушает режим линейного усиления

Уход вторичных электронов от анода к экранирующей сетке может быть предупрежден понижением потенциала пространства между анодом и экранирующей сеткой (созданием отрицательного потенциального барьера перед анодом).

В современных так называемых лучевых тетродах такой барьер с потенциальным минимумом между сеткой С2 и анодом создается повышением концентрации объемного заряда электронов перед анодом путем формирования электронных потоков в пучки (лучи), как показано на рис. 2.9, б.

Исключение влияния вторичной эмиссии (динатронного эффекта) у лучевых тетродов приводит к тому, что анодные характеристики освобождаются от провалов и по своей конфигурации становятся близкими к характеристикам триодов с сеткой малой проницаемости (см. рис. 2.6, б). Благодаря наличию экранирующей сетки проходная емкость Сас у лучевых тетродов снижается до сотых долей пикофарады. Коэффициент усиления таких тетродов повышается до значений 100-1000.

Создание потенциального минимума перед анодом у пятиэлек-тродных ламп, (пентодов) достигается введением третьей сетки С3, (защитной), расположенной между анодом и экранирующей сеткой С2 и присоединяемой непосредственно к. катоду (рис. 2.10, а). Это создает нужный потенциальный барьер, поскольку потенциал пространства перед анодом близок к нулю (к потенциалу катода). Сетка Q выполняет в пентоде, так же как в других типах ламп, функции управляющей сетки. Расположение электродов в пентоде иллюстрирует рис. 2.10, б.

Проницаемость экранирующей и защитной сеток у пентода варьируется в зависимости от того, предназначается ли пентод для высокочастотных каскадов усиления напряжения или низкочастотных каскадов усиления мощности. В первом случае стремятся получить минимальную проходную емкость, делая сетки С2 и С3 более густыми (меньшей проницаемости). Во втором случае стремятся получить более высокую крутизну начальных участков анодных характеристик (рис. 2.11, а). Для этого сетки С2 и С3 выполняют



с относительно большей проницаемостью. Крутой подъем начальных участков характеристик соответствует минимуму падения напряжения в лампе при больших токах. Это обеспечивает повышение к. п. д. у каскадов усиления мощности.

Некоторые типы пентодов, применяемые в каскадах предварительного усиления напряжения, выполняются с изменяющимся просветом (шагом) между витками спирали у управляющей сетки. При малых отрицательных потенциалах на сетке электроны тормозятся, уменьшая анодный ток только в более узких просветах сетки, а затем по мере увеличения абсолютного значения отрицательного потенциала сетки электроны тормозятся и в более широких просветах сетки. Это приводит к удлиненной анодно-сеточной характеристике (лампа типа варимю) и к возможности изменять крутизну на



Рис. 2.10. Включение пентода в цепь питания (а) и его общий вид (б): / - верхнее слюдяное крепление; 2 - сетки; 3 - анод; 4 - нижнее крепление; 5 - газопоглотитель

рабочем участке характеристики для регулирования коэффициента усиления каскада.

Междуэлектродная емкость между управляющей сеткой и анодом у высокочастотных пентодов еще меньше, чем у тетродов. Она не превышает сотых долей пикофарады. Коэффициент усиления у пентодов достигает нескольких тысяч, а внутреннее сопротивление па пологих участках его характеристик достигает нескольких мегом, фи столь большом внутреннем сопротивлении ток в анодной цепи У пентодов, так же как и у тетродов, мало зависит от величины на-РУзочного сопротивления (если оно не очень велико). Это значит, то° Пент°Ды работают в режиме, близком к источнику тока. Поэ-Щ в качестве основного параметра-, по которому оцениваются илительные свойства пентода, используется не коэффициент



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 [ 29 ] 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184



© 2018 ООО "Стрим-Лазер": Лазерная гравировка.
Все права нотариально заверены. Копирование запрещено.