(495)510-98-15
Меню
Главная »  Классификация электронных систем 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 [ 27 ] 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184

► щество - большой диапазон сеточного регулирования и- малые сеточные токи, поскольку отрицательная сетка отталкивает большинство подходящих к ней электронов. Только тогда, когда абсолютные значения отрицательного сеточного потенциала стано-

.вятся меньше, чем 0,5-1 в, тормозящее действие поля сетки оказывается недостаточным для отталкивания от сетки быстрых электронов, и в сеточной цепи появляется заметный сеточный (электронный) ток.

Появление сеточного тока приводит примерно к такому же сни- жению анодного тока, поскольку сумма этих токов остается приблизительно величиной постоянной (равной току а} /э, отдаваемому катодом).

Помимо влияния на анодный ток, сеточный ток, нагружая датчик, изменяет также его сигнал в соответствии с равенством

где Rr

uUa=1006

и

О 10 206


1206

Рис. 2.6. Статические характеристики триода с сетками малой проницаемости:

а - анодно-сеточные; б - анодные

сопротивление генератора сигнала (датчика).

Снижение UBX приводит к дополнительному

нарушению линейной связи между входным сигналом ес и анодным током /а.

У ламп с сетками малой проницаемости (малыми сеточными просветами между витками сетки) поле анода настолько слабо проникает через просветы в сетке, что для перемещения электронов к аноду ей надо сообщить положительные потенциалы. Это показывают анодно-сеточные характеристики (рис. 2.6 а), расположенные на большей части своей протяженности правее оси ординат (лампы с правыми характеристиками).

Анодные характеристики у таких ламп имеют, как это видно из Рис. 2.6, б, два участка разного наклона. Первый участок крутого подъема соответствует быстрому нарастанию электронного потока к аноду благодаря сильно возрастающему с повышением Uu фокуси-РУЮщему действию электрического поля в просветах сеток. Это повышает концентрацию и величину электронных потоков, уходящих к аноду. На втором пологом участке анодный ток незначительно Растает благодаря постепенному повышению напряженности поля у анода при одновременном ослаблении его у стержней сетки.



Как изменяются количественно анодный и сеточный токи лампы при изменении сеточного и анодного напряжений, показывают анод-но-сеточные, анодные и сеточные характеристики лампы, нанесенные сплошными и пунктирными линиями на рис. 2.6, а и б.

Кривые сеточных токов дополняют кривые анодных токов примерно до постоянного, значения, равного, как уже указывалось, значению тока, уходящего от катода. Там, где круто возрастают кривые /а, быстро снижаются кривые /с; при пологом нарастании кривых /а кривые /с спадают также постепенно.

Анодными характеристиками ламп широко пользуются при графическом анализе режимов работы усилительных каскадов.

Графическими методами анализа и расчета обычно пользуются при определении постоянных составляющих тока и напряжения, а также тогда, когда переменные сигналы настолько велики, что рабочий участок не может быть ограничен только линейной частью характеристики (как это имеет обычно место в каскадах усиления мощности). При малых значениях переменных составляющих напряжения и тока, что характерно для каскадов предварительного усиления, всегда можно ограничить режим работы лампы линейными участками характеристик.

Линейный режим позволяет ввести простые аналитические связи между напряжениями и токами с помощью параметров ламп. К основным параметрам усилительных ламп относятся: 1) статический коэффициент усиления лампы \л; 2) крутизна S и 3) внутреннее сопротивление Rt.

Коэффициент усиления лампы р, определяется отношением изменений анодного dUa и сеточного d(Jc напряжений, при которых достигается одно и то же по абсолютному значению, но противоположное по знаку изменение анодного тока А/а, или же когда при противоположных знаках у dUa и dUc результирующее изменение анодного тока А/а = 0:

По физическому смыслу коэффициент ц. показывает, во сколько раз поле сетки действует сильнее в пространстве сетка - катод, чем поле анода при сообщении аноду и сетке одного и того же потенциала, или во сколько раз анодный потенциал должен быть больше сеточного, чтобы создать одно и то же поле в этом пространстве.

Численное значение р, в соответствии с (2.2) может быть найдено По семейству анодно-сеточных характеристик (рис. 2.5, с) из отношения конечных приращений напряжений AUa и AUC, определяемых из заштрихованного на рис. 2.5, а треугольника SPQ. Вертикальный катет SQ соответствует произвольно выбранному изменению анодного тока А/а, а горизонтальный катет SP (в масштабе сеточных напряжений) показывает требующееся изменение А1/с, соответ-


(2.2)



ствующее выбранному значению Л/а. Эквивалентное изменение анодного напряжения Л£/а, приводящее к такому же изменению Д/ , может быть найдено по разности анодных напряжений Ual- ия2? относящихся к характеристикам, ограничивающим вертикальный катет SQ.

У рассматриваемой лампы численное значение коэффициента усиления

Коэффициент усиления лампы непосредственно связан с конструктивным параметром лампы - ее проницаемостью D. Эта связь может быть найдена из совместного решения выражений (2.1) и (2.2), что дает

I* = ZJ- (2 3)

Конструируя лампу на заданное значение проницаемости, получаем вполне определенное значение коэффициента усиления [Л. Значение р, у промышленных типов триодов лежит в границах от 10 до 100.

Второй параметр лампы - крутизна S - связывает изменение анодного тока с сеточным напряжением dUc, вызвавшим это изменение (рис. 2.5, а):

S = (Л . (2.4)

\aUc yj7a=const 4

Название крутизна этот параметр получил потому, что численное значение его определяет крутизну участка анодно-сеточной характеристики в любой ее точке. Обычно крутизна исчисляется в миллиамперах на вольт (ма/е). Численное значение S может быть также найдено графически из отношения отрезков соответствующих Л/а и Д£/с в /характеристическом треугольнике SPQ.

Крутизна S у лампы тем больше, чем ближе расположена сетка к катоду и чем больше эмиссионная поверхность катода. Значение S У промышленных типов триодов лежит обычно в пределах 1,5- 6 ма/е (но есть особые типы триодов с S = 30 -4-40 ма/в и более).

Третий параметр - внутреннее сопротивление Rt лампы переменному току при заданном значении Uc - дает производная

Mt-k-t- -(2-5)

У большинства промышленных типов триодов сопротивление Rt лежит в пределах 7-10 ком. S

Три внутренних параметра лампы связаны между собой соотношением

u = *&..-& = RlS. (2-6)



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 [ 27 ] 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184



© 2018 ООО "Стрим-Лазер": Лазерная гравировка.
Все права нотариально заверены. Копирование запрещено.