(495)510-98-15
Меню
Главная »  Классификация электронных систем 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 [ 124 ] 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184

Схема на рис. 6.42, а представляет собой один из возможных вариантов практической реализации принципиальной схемы (см. рис. 6.41, б)>Роль ключа управления К выполняет дроссель насыщения ДН. Степень его намагничивания регулируется током управления /у. При отсутствии тока намагничивания сопротивление дросселя очень велико (что соответствует разомкнутому состоянию магнитного ключа). В этом режиме ток проходит через электрод управления, открывая тиристор ТО. Через RB проходит при этом однс-полупериодный ток. При полном токе намагничивания /у электри-


Рис. 6.42. Схема включения тиристора с помощью дросселя насыщения (а); мостиковая схема при фазовом управлении тиристором (б)

ческое сопротивление дросселя мало (ключ замкнут), и ток через цепь управления тиристора не проходит. Тиристор заперт, и тока в нагрузочной цепи нет. Конденсатор С предупреждает возможность появления перенапряжений при резких изменениях тока в обмотке дросселя ДН.

С помощью схемы, приведенной на рис. 6.42, б, реализуется метод фазового управления (см. рис. 6.29, б). Объектом регулирования является выпрямительный мост, содержащий два тиристора ТОх и Т02 и два диода Дх и Д2. Функции схемы управления выполняет мостиковый фазосмещатель, в который входят две вторичные обмотки трансформатора управления Тр, регулируемое активное сопротивление Ry v и нерегулируемое реактивное сопротивление (емкостное =г либо индуктивное coL).

Диоды Д0, введенные в диагональ мостикового фазосмещателя, обеспечивают однонаправленное прохождение импульсов тока от фазосмещателя к цепям управления тиристорами Т0У и Т02. При изменении Ry v фаза выходного напряжения в диагонали мостикового



фазосмещателя смещается по отношению к напряжению питания выпрямительного моста. Этим достигается регулирование среднего значения выпрямленного напряжения на выходе моста, так же как и в схеме на рис. 6.2, а.

Когда источник сигнала (датчик) не обеспечивает достаточного тока для управления тиристором, в схему управления в качестве промежуточного усилительного элемента вводится маломощный тиристор (рис. 6.43, а) с током управления, много меньшим, чем у рабочего тиристора. Усилительный Т0Х и рабочий Т02 тиристоры соединены между собой аналогично триодам в составном транзисторе (см. рис. 2.35, а).


Рис. 6.43. Высокочувствительные схемы управления однооперационным тиристором:

а - с усилением сигнала с помощью маломощного тиристора; б - с помощью вспомогательного конденсатора

Диод Д, шунтирующий источник управления, вводится в схему только тогда, когда этот источник генерирует переменное напряжение либо двухполярные импульсы.

Другой путь повышения чувствительности системы управления иллюстрирует схема, приведенная на рис. 6.43, б [45]. Входной сигнал +£/вх используется в качестве добавочного к напряжению на заряженном конденсаторе С с тем, чтобы открыть неуправляемый тиристор ТН, связанный с цепью управления одноопераци-онного тиристора ТО. Конденсатор С заряжается от стабилизированного (с помощью стабилитрона Cm) напряжения UCT. С открытием ТО через нагрузочное сопротивление проходит постоянный ток.

Схема управления тиристором заметно упрощается, когда в качестве генератора импульсов управления пользуются полупроводниковым прибором, получившим название двухбазового диода (или однопереходного триода) [42, 43]. Двухбазовые диоды широко распространены в схемах управления в зарубежной полупроводниковой технике. Структурная схема такого диода ДД приведена на рис. 6.44, а, а схема включения и вольт-амперная характеристика приведены на рис. 6.44, б и е.



Исходный монокристалл, из которого изготовляется двухбазовый диод, представляет собой пластинку n-проводимости, в которую введением акцепторных примесей создается эмиттерный слой р. Расположенные по обе стороны от эмиттера продольные участки исходного монокристалла выполняют функции баз диода. Нижняя база Бх в сочетании с эмиттером и эмиттерным p-n-переходом непосредственно выполняет функции диода. Верхняя база £2 является лишь плечом в делителе напряжения, образуемом двумя базами прибора. К наружным выводам баз подводится напряжение смещения диода (Убб (рис. 6.44, б).

Под действием этого напряжения (выбираемого обычно в пределах 10-20 в) через базы проходит последовательно небольшой ток - ток смещения (порядка 1-2 ма). Этот ток, поддерживающий определенное распределение потенциала вдоль баз и тем самым некото-

рую разность потенциалов между эмиттером и расположенным против него базовым слоем (подэмиттерным слоем базы), не остается величиной неизменной, а зависит от величины тока, проходящего через эмиттер Э и нижнюю базу Бх.

Когда ток в цепи эмиттера /э = 0 и напряжение смещения Ue распределяются по базам пропорционально их сопротивлениям, зависящим от длин баз. (Длина базы £2 выбирается обычно в 4-5 раз больше длины базы Бг. В том же примерно соотношении распределяется напряжение смещения по базам.)

Напряжение на эмиттерном переходе = 0 тогда, когда потенциал на эмиттере UB = U30 (по отношению к наружному выводу от нижней базы) равен потенциалу на подэмиттерном базовом слое, созданном напряжением смещения U. Когда (7Э<С U30 (рис. 6.44, в), ток в эмиттер ной цепи также отрицателен.

Абсолютные значения этого тока невелики. Им соответствуют ординаты на начальном участке ОР эмиттерной вольт-амперной характеристики двухбазового диода, приведенной на рис. 6.44, в.

Когда U3 начинает превышать (7Э0, на диодном p-n-переходе появляется положительное напряжение, и через него начинает про-


Рис. 6.44. Двухбазовый диод:

с - структурная схема; б - схема включения; в - эмиттерная характеристика



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 [ 124 ] 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184



© 2018 ООО "Стрим-Лазер": Лазерная гравировка.
Все права нотариально заверены. Копирование запрещено.