(495)510-98-15
Меню
Главная »  Классификация электронных систем 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 [ 103 ] 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184

явления, характеризующие количественные закономерности в установившемся разряде в газотронах (см. § 1.3), относятся и к разряду в тиратронах. Здесь также в междуэлектродном промежутке прибора формируется электронно-ионная плазма, катодная и анодная части разряда.

С появлением плазмы к сетке под действием ее поля уходят ионы, когда сетка отрицательна по отношению к катоду, и электроны, когда сетка положительна.

Заряды, окружая стержни сетки, образуют у ее поверхности тончайшую оболочку (порядка тысячных долей миллиметра), так как концентрация зарядов, образующих оболочку, достаточно высока.

В такой тонкой оболочке и концентрируется все поле сетки, которое можно представить в виде совокупности силовых линий, начинающихся на зарядах, расположенных на поверхности сетки, и оканчивающихся на зарядах противоположного знака, входящих в оболочку.

Процессы запирания разряда связаны обычно с отрицательными потенциалами, сообщаемыми сетке, поэтому на поверхности сетки расположены электроны, а в сеточные оболочки входят ионы (ионные оболочки).

Вне оболочек поле сетки не проникает. Изменение величины потенциала на сетке приводит лишь к небольшому изменению толщины оболочки. Изменение знака потенциала на сетке приводит к изменению знака зарядов в оболочке.

Если радиус сеточных отверстий или половина просветов в сетках больше толщины оболочек, что обычно имеет место в приборах нормального исполнения, то центральные участки сеточных отверстий свободны от поля сетки (рис. 6.1, б). Через эти участки проходит разряд, не подвергаясь действию сеточного поля. Это и определяет неспособность сетки управлять мгновенными значениями разрядного тока.

Заряды в оболочках у поверхности сетки не остаются неподвижными, а непрерывно перемещаются под действием поля к сетке, создавая при этом ток в сеточной цепи. На место ушедших из оболочки зарядов в нее входят новые заряды из плазмы. Этим поддерживается непрерывность существования сеточных оболочек и сеточного тока (пока существует плазма).

В целях ограничения величины сеточного тока и тем самым мощности, затрачиваемой на управление, в сеточную цепь тиратрона вводится большое сеточное сопротивление Rc.

Экранирование поля сетки оболочками сохраняется и в течение некоторого времени после гашения разряда, поскольку заряды в междуэлектродном промежутке исчезают не сразу (см. § 1.3), а в течение времени, называемого периодом деионизации.

Гашение разряда в ионных приборах имеет место после снижения анодного напряжения до значения, меньшего, чем напряжение



горения разряда или пропусканием через прибор встречного тока.

В течение периода деионизации оболочка продолжает пополняться остаточными зарядами из распадающейся плазмы. Так как концентрация этих зарядов все время уменьшается, толщина оболочки непрерывно возрастает.

Когда смежные оболочки в процессе возрастания их толщины соприкасаются, в центре сеточных отверстий начинает появляться избыточное отрицательное поле сетки. При последующем снижении концентрации зарядов в междуэлектродном промежутке и оболочках это поле расширяется и усиливается.

Время, в течение которого возрастающее по абсолютному значению результирующее отрицательное поле в сеточных отверстиях

Рис. 6.2. Схема управления тиратроном с накаленным катодом (а), диаграммы напряжения и тока в анодной и сеточной

цепях (б)

оказывается достаточным для того, чтобы при данном анодном напряжении Ua вновь затормозить уходящие из катода электроны, называют временем восстановления сеточного запирания, или временем восстановления электрической прочности междуэлектродного (анодного) промежутка.

Ограничение функции сетки в ионных приборах только установлением момента развития разряда в приборе (открывание прибора) лишает их способности управлять мгновенным значением тока, как это имеет место в электронных лампах.

Несмотря на ограниченные функции сеток, они открыли широкие возможности применения ионных приборов в устройствах, питаемых переменным напряжением. Задерживая с помощью сетки момент зажигания разряда в приборе по отношению к началу положительного полупериода (рис. 6.2, б) при имеющем место автоматическом гашении разряда к концу каждого полупериода либо доли его, когда положительное напряжение уменьшается до нуля, получаем возможность регулировать в системах переменного тока среднее значение анодного тока /а в пределах каждого полупериода.




При этом среднее значение тока, проходящего через прибор и нагрузочную цепь, можно регулировать от 100% номинального значения до нуля.

Диаграммы рис. 6.2, б относятся к простейшей схеме однополу-периодного выпрямления тока, в которой использован тиратрон с накаленным катодом (рис. 6.2, а).

Анодная цепь тиратрона питается от вторичной обмотки трансформатора Тр, первичная обмотка которого связана с питающей сетью переменного напряжения.

Сеточная цепь содержит источник постоянного напряжения, выполняющего функции отрицательного смещения £с0, а также сеточный трансформатор С.Тр, вторичная обмотка которого вводит в сеточную цепь положительные импульсы с частотой сети,


Рис. 6.3. Сеточные характеристики:

а - статические: отрицательная / и положительная 2; б - область зажигания; в - пусковая область

-периодически открывающие прибор. Появляющиеся одновременно отрицательные импульсы проходят вне сеточной цепи через участок, содержащий диод Д и малое активное сопротивление R.

Для надежного открывания прибора при самых малых значениях анодного напряжения положительные импульсы должны сообщать сетке потенциалы более высокие, чем потенциалы, соответствующие режиму запирания Uc0.

Угол а, определяющий время смещения положительного импульса напряжения ес по отношению к началу положительного полупериода синусоидального напряжения, называют углом управления, или углом регулирования. При изменении этого угла (что характеризует фазовое управление) среднее значение анодного тока (так же как и выпрямленного) может быть изменено, как уже указывалось, от максимального его значения до нуля.

Параметры элементов в цепи управления, а также значения напряжений смещения Ez0 и управляющего положительного импульса ес выбираются исходя из сеточной характеристики прибора (рнс. 6.3, а), называемой также характеристикой зажигания. Она



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 [ 103 ] 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184



© 2018 ООО "Стрим-Лазер": Лазерная гравировка.
Все права нотариально заверены. Копирование запрещено.