(495)510-98-15
Меню
Главная »  Промышленная электроника 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 [ 67 ] 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166

я процессом регенерации или прямым б л о-цазьггТСп роцессом. кй 11Г ость регенеративного процесса отпирания транзистора за-СУйла R том, что он сопровождается взаимным увеличением базо-

клгочаеолдекторного токов и протекает следующим образом. вого и ЛеХОд в момент времени напряжения ис = ибэ через нуль лит к возникновению токов базы и коллектора транзистора. яРйБоЯрПИрании ТранзисТ0ра напряжение на его коллекторе умень-чт0 вызывает появление напряжения на коллекторной обмот-3 трансформатора (рис. 3.15, а). Напряжение на коллекторной дТке трансформируется в базовую обмотку w6 с полярностью, соот-ствующей увеличению базового тока. Рост базового тока, в свою еоедь, вызывает увеличение коллекторного тока, снижение напряжения на коллекторе и дальнейшее повышение напряжения на коллекторной и базовой обмотках. Процесс завершается переходом транзистора в момент времени t2 в режим насыщения.

Развитие регенеративного процесса отпирания транзистора возможно, если в схеме создаются условия для увеличения тока базы за счет положительной обратной связи. Это означает, что цепь обратной связи должна обеспечить соотношение для токов транзистора, при котором

k > УР- (3.46)

Ток коллектора транзистора равен сумме приведенных к коллекторной обмотке трансформатора токов базы и нагрузки:

гк = <б/ б-И'н/ н- (3-47)

Если принять на этане регенеративного процесса напряжение на коллекторной обмотке равным Ли, то ток i6 =--- (где гв -вход-

{R + гБХ)

ное сопротивление транзистора), а ток iH = - .

В результате подстановки выражения (3.47) в (3.46) с учетом полученных соотношений для токов t6 и iK находим условие, необходимое для развития прямого блокинг-процесса в схеме:

б n2RH

(3.48)

Икервал - t% определяет длительность переднего фронта формируемого импульса. Время /ф в блокинг-генераторах составляет Доли микросекунды.

На интервале формирования вершины импульса tB транзистор °ткрыт, напряжение Ас/кэ на нем мало. К коллекторной обмотке прикладывается напряжение, близкое к £K, а к базовой и нагрузочной оэмогкам - соответственно напряжения, близкие к Ejnu и EjnH (Рис 3.15, б, г).

Для интервала 4 действительна схема замещения блокинг-генера-Тора, приведенная на рис. 3.16, а. Транзистор на схеме изображен в



виде ключа Т, а трансформатор - в виде схемы замещения б! паразитных параметров (индуктивностей рассеяния, паразит! костей и активных сопротивлений обмоток).

Через коллекторную обмотку и транзистор протекает'1 (рис. 3.16, а), равный сумме трех составляющих: приведенных лекторной обмотке тока нагрузки iH = ia/nH = EK/(ntRn) и зы £б = i5/n6, а также тока намагничивания tp..

Ток намагничивания i[X. (см. рис. 3.15, ё) я!

балластной с'~с/п$

Б

и

0-Е*

нение

составляющей в коллекторном токе транзистора.!

здается под возде| приложенного к кола ной обмотке напряжэд и обусловлен перемен рабочей точки по К] магничивания серди трансформатора из точ| направлении к точке Щ 3.16, б). Характер изме во времени тока з вида кривой намагничй! и числа витков коллектор обмотки (ее индуктив LK). Выбором соответё! щей величины индуктив! коллекторной обмотки м! мальное значение тока [ ограничивают на ур

(0,05ч- 0,1)С Участок г мещения рабочей точки петле намагничивания этом получается достат малым и близким к прям< связи с чем характер мзъ ния тока во времени зок к линейному. Для V будет действительно

--= £к, откуда находим i = 1 и /тах = ~


Рис. 3.16. Схема замещения блокинг-генератора на этапе открытого состояния транзистора (а); петля намагничивания сердечника трансформатора (б); схема замещения блокинг-генератора на этапе формирования выброса напряжения на коллекторе транзистора (s)

Ток базы гб (см. рис. 3.15, ё) обеспечивает на интервале режим насыщения транзистора. Он обусловливается процессе] заряда конденсатора С через входную цепь открытого транзистора и| резистор R под действием напряжения на базовой обмотке трансфор>$ матора. При этом ток i6 убывает по экспоненциальному закону. При.т*/** веденная составляющая Ц в токе коллектора также относительно мала и уменьшается во времени.

Зависимые во времени токи i5 и i. создают вначале некоторое убывание тока iK, а затем его нарастание (см. рис. 3.15, ж). ВслеД-



осительно малых составляющих i6 и ток гк на этапе / с#ие °ТНеХСЯ преимущественно током ia, т. е. iiu=EK/(nlRH)=ER/Ra-оЙреД6 прИНять ф-С 4> т0 ток базы на интервале 4 будет изменять- по закону

ся % = ,/* , е , (3.49)

= C(R + гвх) - постоянная времени цепи базы; гвх - вход-гДе дротивление транзистора в открытом состоянии. я°еп л и т е л ь н о с т ь tB характеризует состояние схемы, при оом создаваемый по цепи обратной связи ток базы (ток заряда К°Т<лечсатора) обеспечивает режим насыщения транзистора, т. е. %- > i /р- Однако по мере заряда конденсатора (см. рис. 3.15, д, ё) б gg3bJ уменьшается, вследствие чего уменьшается степень насыщения транзистора. В момент времени t3 ток базы убывает до значения /д = iJ$> что соответствует выходу транзистора из режима насыщения. Следующий вслед за этим процесс запирания транзистора определяет момент окончания формирования, блокинг-генератором импульса напряжения длительностью tB (см. рис. 3.15, г).

Время 4 можно найти, положив в формуле (3.49) г'б = EK/(ftRa):

= T,n-7FT-Г- (3-50)

Переход транзистора в закрытое состояние происходит за счет положительной обратной связи также лавинообразно и называется о б-ратным блокинг-процессом. Его начало обусловливает повышение напряжения на коллекторной и базовой обмотках трансформатора. Обратный блокинг-процесс протекает при взаимном уменьшении токов коллектора и базы и заканчивается запиранием транзистора. Его длительность определяет время среза tG формируемого импульса. Время ta мало отличается от t%. Закрытое состояние транзистора после момента времени ti поддерживается напряжением на конденсаторе, полярность которого указана на рис. 3.15, а.

Процессы, протекающие в схеме после запирания транзистора в момент времени tt, связаны с разрядом конденсатора и рассеянием энергии, накопленной в магнитном поле трансформатора.

Разряд конденсатора С происходит по цепи w6 - R - Rs - (~~£к* (см. рис. 3.15, а). Вследствие разряда напряжение на конденсаторе изменяется, как показано на рис. 3.15, д.

На интервале tB трансформатор накапливает энергию Евиду подключения его коллекторной обмотки хюк к источнику питания и протекания через нее тока ншагничивания V. При запирании транзистора коллекторная обметка трансформатора отключается от источника питания. На ней индуцируется напряжение, препятствующее Уменьшению тока iv Напряжение самоиндукции возникает также На базовой и нагрузочной обмотках. Полярности напряжений показаны на схеме замещения блокинг-генератора, приведенной на Рис. 3.16, в.



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 [ 67 ] 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166



© 2018 ООО "Стрим-Лазер": Лазерная гравировка.
Все права нотариально заверены. Копирование запрещено.