(495)510-98-15
Меню
Главная »  Промышленная электроника 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 [ 22 ] 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166

телями заряда. Поскольку р-слой имеет большую концентрацию I меси, чем -слой, изменение ширины р-ге-переходов происходи основном за счет более высокоомного -слоя (эффект модуляции рины базы). Тем самым изменяются сечение токопроводящего как и его проводимость, т. е. выходной ток /с прибора.

Особенностью полевого транзистора является то, что на провс1 мость канала оказывает влияние как управляющее напряжение


Р -4-

<-0U}lt0-03 I---01/.и

Рис. 1.35. Поведение полевого транзистора с р-я-переходом и канало га-типа при подключении внешних напряжений:

а-ует<°. уси = 0; б-Узи = 0, Уси>0; в - Узи<0, Уси>0

так и напряжение UCCi. Влияние подводимых напряжений на пров мость канала иллюстрирует рис. 1.35, а-в, где для простоты не казаны участки -слоя, расположенные вне - -переходов.

На рис. 1.35, а внешнее напряжение приложено только к вхо^ цепи транзистора. Изменение напряжения Um приводит к измене проводимости канала за счет изменения на одинаковую вели1; его сечения по всей длине канала. Но выходной ток /0 = 0, поср

ку Uc

Рис. 1.35, 6 иллюстрирует изменение сечения канала при воз| ствии только напряжения Uca(U3a = 0). При Uca> 0 через ка протекает ток /0, в результате чего создается падение напряже возрастающее в направлении стока. Суммарное падение напряже участка исток - сток равно £/ои. В силу этого потенциалы точек! нала -типа будут неодинаковыми по его длине, возрастая в нап{ лении стока от нуля до Uca. Потенциал же точек р-области отн| тельно истока определяется потенциалом затвора относительно] тока и в данном случае равен нулю. В связи с указанным обрат напряжение, приложенное к - -переходам, возрастает в направле от истока к стоку и р-я-переходы расширяются в направлении ст Данное явление приводит к уменьшению сечения канала от ист к стоку (рис. 1.35, б). Повышение напряжения Uca вызывает ув чение падения напряжения в канале и уменьшение его сечениь следовательно, уменьшение проводимости канала. При некото! напряжении UCI1 происходит сужение канала, при котором гран? обоих - -переходов смыкаются (рис. 1.35, б) и сопротивление к| ла становится высоким.

На рис. 1.35, в отражено результирующее влияние на канал об напряжений [/8и и Uca. Канал показан для случая смыкания переходов.



р осмотрим вольт-амперные характеристики полевых транзисто- - -переходом. Для этих транзисторов представляют интерес РоВ С„ЯЯ ипльт-амперн

ида вольт-амперных характеристик: стоковые и стоко-затворные. Два^в т^пвые (выходные) характеристики по-зистора с р-п- переходом и кана-

л ев л о м

токовые ого тр а н

, -типа показаны на рис 1 36 Они п тока стока от напряжения сток - исток пп ?тражают зависимость жении затвор - исток /0= F(U )п , ? ФиксиРованном напря-семейства кривых. На° каадой из= И Р^яю™ в виде этих кривых можно выделить три характерные области: / сильная зависимость тока /0 от напряжения Uca (начальная область); II- cm-бая зависимость тока /с от напряжения UClS; / - пробой р-л-пере-хода.

Рассмотрим выхотую характеристику полевого транзистора пои U3a = 0 (см. рис. 2.35, б). Р

О-а) влияние

1.35, б). В облас-

напряжения

малых напряжений иСа (участок


Рис. 1.36. Семейство стоковых (выходных) характеристик полевого транзистора с р-я-переходом и каналом я-типа

проводимость канала незначительно, в связи с чем здесь имеется практически линейная зависимость /0 = = F{Uca). По мере увеличения напряжения U си (участок а-б) сужение токопроводящего канала оказывает все более существенное влияние на его проводимость, что при-

водит к уменьшению крутизны нарастания тока. При подходе к границе с участком (точка б) сечение токопроводящего канала уменьшается до минимума в результате смыкания обоих р- -пере-ходов. Дальнейшее повышение напряжения на стоке не должно приводить к увеличению тока через прибор, так как одновременно с ростом напряжения Uca будет увеличиваться сопротивление канала. Некоторсе увеличение тока /с на экспериментальных кривых объясняется наличием различного рода утечек и влиянием

сильного электрического поля в р- -переходах, прилегающих к каналу.

Участок / резкого увеличения тока /с характеризуется лавинным пробоем области р- -переходов вблизи стока по цепи сток затвор. Напряжение пробоя соответствует точке е.

Приложение к затвору обратного напряжения вызывает сужение канала (см. рис. 1.35, а) и уменьшение его исходной проводимости. Поэтому начальные участки кривых, соответствующих большим напряжениям на затворе, имеют меньшую крутизну нарастания тока ем 1-36)- ВвидУ наличия напряжения Uзп перекрытие канала объ-мным зарядом - -переходов (см. рис. 1.35, в) происходит при мень-шем напряжении и границе участков / и будут соответствовать 3*



меньшие напряжения сток - исток. Напряжениям перекрь! канала соответствуют абсциссы точек пересечения стоковых xaif теристик с пунктирной кривой, показанной на рис. 1.36. При ших напряжениях наступает и режим пробоя транзистора по сток - затвор.

Важным параметром полевого транзистора является напряж-f на затворе, при котором ток стока близок к нулю. Оно соответст!

напряжению запирания прибора по I затвора и называется н а п р я ж е| ем запирания или о т с е ч I UaM. Числовое значение Uаи0 рЯ напряжению Ucn в точке б вольт!

10 0,5

г

перной характеристики при U3a =Ш Поскольку управление выходм током полевых транзисторов проиЩ дится напряжением входной цепи, 1 них представляет интерес так назыи мая переходная или стоко-затвор! вольт-амперная характеристика. С щ ко-затворная характе стика полевого транзЛ тора показывает зависимость т| стока от напряжения затвор - ис при фиксированном напряжении сто!; исток: /с == F(U3a)uca = const. При?! ный вид этой характеристики пока! на рис. 1.37. Стоко-затвориая хая теристика связана с выходными хая теристиками полевого транзистора и может быть построена по н| Основными параметрами полевого транзистора являются: Mai

о

Рис. 1.37. Стоко-затворная характеристика полевого транзистора с р-га-переходом каналом я-типа

и

мальный ток стока /.

максимальное напряжение стока Uc

напряжение отсечки U3a0, внутреннее сопротивление rt, крутизна входное сопротивление гвх, а также межэлектродные емкости вор - исток С3и, затвор -Максимальное соответствует его значению в точке в на выходных характеристик (при Uш = 0). Максимальное значение напря

сток С3с и сток - исток Сси. значение тока стока

си га ах

ния сток - ИСТОК [/,

напряжения пробоя участка сток жению отсечки п

выбирают в 1,2-1,5 раза мень затвор при изй = 0. Н а п ьтствует напряжение на зат! ри токе сгока, близком нулю. Внутреннее сопротй! dUCK I I

л е н и е О

транзистора характеризует накл

lC/3 =const

выходной характеристики на участке (см. рис. 1.36). К р у т Щ н а стоко-затворной характеристики

ота

жает влияние напряжения затвора на выходной ток транзистор] Крутизну S находят по стоко-затворной характеристике прибо (рис. 1.37). Входное сопротивление rBX = dU5а!Щ



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 [ 22 ] 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166



© 2018 ООО "Стрим-Лазер": Лазерная гравировка.
Все права нотариально заверены. Копирование запрещено.