(495)510-98-15
Меню
Главная »  Промышленная электроника 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 [ 17 ] 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166

ньшению ХОЛщИны базового слоя /б, а следовательно, к умень-к У ю ЧИсла актов рекомбинаций дырок с электронами в ней, увели-

ению коэффициента а и тока

Эффект модуляции базы иллюстрируется рис. 1.25, б, на котором V .... .----- 1 - псятся к напрг т ~

(кб2 > K6l)-

обозначения с индексом 1 относятся к напряжению (/кб1, а с индек

2 - к напряжению с/кб2 кб2 wk6i Постоянство задаваемого тока /э при снятии коллекторных ха-актеристик обусловливает постоянство градиента концентрации ды-пок dpldx на границе перехода П1 с базой. В связи с этим кривые распределения концентраций в базе pni(x) и рп1(х) идут параллельно доуг ДРУГУ- И3 Рис' 1-25. 6 следует, что начальные уровни концент-оаций дырок на границе эмиттерного перехода с базой получаются неодинаковыми, в частности pnl(0)> рп2(0). Это может быть, как следует из выражения (1.18), только.в случае уменьшения напряжения на переходе Пх. Таким образом, изменение тока /к с изменением напряжения Ur6 при /э = const, связанное с изменением коэффициента а из-за эффекта модуляции базы, сопровождается также изменением напряжения на эмиттерном переходе. Иными словами, м о-дуляциябазы создает внутреннюю обратную связь по напряжению в транзисторе.

Если предположить, что для транзистора задается не ток /э, а напряжение £/эб, определяющее напряжение на эмиттерном переходе, то при подаче напряжения £/кб2 > Uim концентрация дырок не изменится (рга2(0) = рп1(0)) и кривая рп2(х) примет вид, показанный на рис. 1.25, б пунктирной линией. Больший наклон пунктирной кривой отражает увеличение эмиттерного тока /э2 по сравнению с /э1, а следовательно, и коллекторного тока. В данном случае изменение тока коллектора при проявлении эффекта модуляции базы наблюдается не только за счет изменения коэффициента а, но и за счет обратной связи, влияющей на ток эмиттера.

Некоторое возрастание тока /н на выходных характеристиках при повышении напряжения <Укб вследствие увеличения коэффициента гх за счет эффекта модуляции базы (рис. 1.25, а) характеризуется дифференциальным сопротивлением коллекторного перехода1.. ~ кб

/3=const

которое мо-

жет быть найдено из коллекторных характеристик как отношение приращений напряжения и тока. Для маломощных транзисторов величина гк(б) составляет 0,5-1 МОм.

При /э = о

- - зависимость /к = F(UK6) представляет собой обрат-хода ВПбЬ вольт ампеРной характеристики коллекторного р-п-пере-щ ибРатный ток коллекторного перехода определяет составляю-

ко в коллекторном токе транзистора. и согш° ласти 11 выходные характеристики практически линейны областиТИВЛеНИе к{6) можно принять неизменным. Тогда для этой к°й cbon jfBHCHMOCTb А = (кб) можно представить в аналитичес-

(1.26) 51



и тем самым уточнить соотношение (1.24), полученное без учета эс фекта модуляции базы. :

Наличие составляющей /к0 в выражении (1.26) является одно из главных причин температурной зависимости вь: ходных (коллекторных) характеристик трак з и с т о р а. Влияние температуры приводит к изменению тока и смещению характеристик вверх при повышении температуры (пун^ тарные кривые на рис. 1.25, а) и вниз при ее снижении. Такое ж воздействие на коллекторные характеристики (в меньшей степещ оказывает и зависимость от температуры коэффициента а. Это o6j словлено тем, что в рабочем диапазоне температур наблюдается щ которое увеличение коэффициента а с ростом температуры. !

Коллекторные характеристики можно считать эквидистантным в небольшой области изменения тока /э. При этом равным прирг щениям тока /э соответствуют примерно равные приращения ток /к (рис. 1.25, а). В большом диапазоне изменения эмиттерного ток характеристики нельзя считать эквидистантными в силу их боле густого расположения при малых и больших токах /э и более ре; кого - при промежуточных значениях. Причиной этого являете зависимость коэффициента а от тока эмиттера в виде кривой с ма] симумом при некотором токе /э (рис. 1.25, б). Увеличение коэфф| циента а и достижение им максимального значения с возрастание эмиттерного тока объясняется относительным уменьшением чист актов рекомбинаций дырок в базе с ростом количества входящих нее дырок, т. е. повышением коэффициента переноса 8 при увелич нии тока /9. После достижения максимума последующее уменьшен! коэффициента передачи тока а обусловливается уменьшением коэс фициента инжекции f с ростом тока /э. Для маломощных транзист ров максимуму коэффициента а соответствует ток эмиттера, равнь 0,8-3 мА.

Для транзистора существует предел повышения коллекторно!


Рис. 1.26. Входные характеристики транзистора, включенного по схеме ОБ

Рис. 1.27. Схема включения транзистора с общим эмиттером (схема ОЭ)



пряжения ввиду возможного электрического пробоя коллектор-йа q перехода (область / на рис. 1.25, а), который может перейти Й°тепловой пробой. Величина допустимого напряжения Uk6 указы-Бается в справочниках.

В Входные характеристики транзистора в схеме ОБ /0ис 1 - 26) представляют собой зависимость /э = F(U36)Ukq = const и по виду близки к прямой ветви вольт-амперной характеристики р-п-

ж

у

JCJL--

го-икз

-0,3

-5 в -10 в

п

/ 0

л

щ

ю

Рис. 1.28. Выходные (а) и входные (б) характеристики транзистора, включенного по схеме ОЭ

перехода (диода). Входная характеристика, снятая при большем напряжении 1/кб, располагается левее и выше. Это обусловливается эффектом модуляции базы, приводящим к повышению градиента концентрации дырок в базе и увеличению тока /э. Указанное явление было рассмотрено ранее.

Схема ОЭ (рис. 1.27). В схеме ОЭ вывод эмиттера является общим для входной и выходной цепей транзистора. Напряжения питания сэ> UR9 подаются соответственно между базой и эмиттером, а также между коллектором и эмиттером транзистора. Без учета падения напряжения в базовом слое напряжение (Убэ определяет напряжение на эмиттерном переходе. Напряжение на коллекторном переходе находят как разность UK3 - U6a.

Выходные характеристики

ОЭ определяют зависимость коллекторного тока /к = F(URa) npt б ~ const (рис. 1.28, а). Как и для схемы ОБ, здесь можно выделит!

транзистора в схеме зи

выделить

три характерные области: / - начальная область, - относительно слабая зависимость /в от Um, III - пробои коллекторного перехода .

Коллекторные характеристики транзистора в схеме ОЭ отличаются от соответствующих характеристик в схеме ОЬ. В частности, они начинаются из начала координат и участок / располагается в первом квадранте. При UR9 = 0 напряжение на коллекторном переходе равно ибэ, коллекторный переход открыт и инжектирует дырки в базу. Потоки дырок через коллекторный переход (от коллектора в базу и от эмиттера в коллектор) взаимно уравновешиваются и ток 0. По мере повышения напряжения 1/яэ в области / прямое нап-



Подбирайте промышленную электронику по вашим требованиям тут.
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 [ 17 ] 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166



© 2018 ООО "Стрим-Лазер": Лазерная гравировка.
Все права нотариально заверены. Копирование запрещено.