(495)510-98-15
Меню
Главная »  Промышленная электроника 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 [ 13 ] 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166

ее напряжение £/р, определяющее максимально допустимое Платное напряжение диода без учета возможных перенапряжений;

овторяющееся напряжение Un и неповтор я- щееся напряжение С/Ип, характеризующие значения кратного напряжения с учетом соответственно внутренних и внешних Факторов {UHn> cVn> [/ ). Для лавинных диодов Uuu = С/л (см. рис- 1-16,6).

В ряде мощных преобразовательных установок требования к среднему значению прямого тока, обратному напряжению (или к обоим параметрам), превышают номинальные значения параметров существующих диодов. В этих случаях задача решается параллельным или последовательным (а при необходимости и параллельно-последовательным) соединением диодов.

Параллельное соединение диодов предназначено для увеличения суммарного прямого тока. Оно используется с принятием мер по выравниванию прямых токов приборов, входящих в группу. Это необходимо для исключения перегрузки по току отдельных диодов, приводящей к выходу их из строя вследствие перегрева. Причиной неравномерного распределения токов является несовпадение прямых ветвей вольт-амперных характеристик приборов ввиду разброса параметров. Неравномерность токораспределения в двух диодах при их непосредственном параллельном соединении вследствие различия прямых ветвей вольт-амперных характеристик иллюстрирует рис. 1.17, а. Для выравнивания токов используют диоды с малым различием прямых ветвей вольт-амперных характеристик (производят их подбор по прямой ветви вольт-амперной характеристики). Широко распространены также индуктивные делители тока (рис. 1.17,6). При введении в каждую из параллельных ветвей дополнительной индуктивности возникает э. д. с. самоиндукции при нарастании тока в ветвях, вследствие чего различие токов в параллельных ветвях, вызванное разбросом параметров диодов, становится менее ощутимым. Выравнивание токов может быть в принципе обеспечено и введением в параллельные ветви дополнительных активных сопротивлений, однако при этом создаются дополнительные потери мощности, особенно при больших токах.


ис. 1.17. Прямые ветви вольт-амперных характеристик диодов, используемых для параллельного соединения (а); схема выравнивания токов диодов с помощью индуктивных делителей тока (б)



Последовательное соединение диодов пред назначено для увеличения суммарного допустимого обратного наг ряжения. При воздействии обратного напряжения через диоды, вклк ченньге последовательно, протекает одинаковый обратный ток / (рис. 1.18, а). Однако ввиду неизбежного различия обратных вет вей вольт-амперных характеристик общее напряжение будет рас



Рис. 1.18. Схема последовательного соединения диодов и обратные ветви их вольт-амперных характеристик (а); схема выравнивания обратных напряжений, прикладываемых к диодам (б)

пределяться по диодам неравномерно. К диоду, у которого обрат, ная ветвь вольт-амперной характеристики идет выше, будет приле, жено большее напряжение.

Неравномерность распределения напряжения на последователь!: работающих диодах является нежелательной. Превышение хотя б| на одном из диодов обратного напряжения над напряжением пробе может привести к пробою не только данного, но и всех остальны} диодов вследствие повышения на них обратного напряжения.

Для исключения неравномерного распределения обратного напр}; жения диоды в последовательной цепи шунтируют резисторами (рис. 1.18,6). Выбор сопротивления шунтирующих резисторов npij изводят, исходя из того, чтобы ток, протекающий через резистор был на порядок больше обратного тока диодов. При этом неиденти ность обратных ветвей вольт-амперных характеристик диодов буда слабо влиять на равномерность распределения обратных напряжение

Импульсные диоды. Импульсные диоды нашли широкое прим> нение в маломощных схемах промышленной электроники и автом; тики. Требования, предъявляемые к этим диодам, связаны с обесп чением быстрой реакции прибора на импульсный характер подв димого напряжения - малым временем перехода диода из закрыто: состояния в открытое и обратно.

Инерционность процесса переключения диода из з а к р ы т : го состояния в открытое обусловливается продолж! тельностью времени, требуемого для накопления необходимых ко! центраций неравновесных носителей заряда в близлежащих 1 р-я-переходу слоях (дырок в я-слое и электронов в р-слое) nocpej ством возникшей за счет прямого напряжения диффузии носителе!



а через переход (см. рис. 1.9, в). Вследствие этого падение на-заР ясе-ния на диоде при отпирании сначала имеет относительно боль-ПРЯ величину, а затем, снижаясь, достигает установившегося чения- Время, в течение которого падение напряжения на диоде зН ает от максимального до 1,2 установившегося значения, называют временем установления прямого сопротивления (уст)-

тдроцесс переключения диода из открытого состояния в закрытое быстром изменении полярности подводимого напряжения ха-актеризуется резким увеличением обратного тока (иногда на один-пва порядка больше установившегося значения) и его спаданием до установившегося значения в течение некоторого интервала времени. Такой характер изменения обратного тока свидетельствует о постепенном восстановлении высокого сопротивления диода в обратном направлении при переводе его в непроводящее состояние.

Возникновение броска обратного тока обусловлено тем, что избыточные неосновные носители заряда, созданные по обе стороны р-п-перехода на этапе протекания прямого тока (см. рис. 1.9, в), втягиваются полем обратно в р-л-переход под действием приложенного к нему обратного напряжения. Обратный ток спадает до номинального значения лишь после того, как концентрации неосновных носителей заряда по обе стороны р-л-перехода достигнут установившихся значений (см. рис. 1.10, в) вследствие ухода носителей заряда через переход и рекомбинации с носителями заряда противоположного знака. Время, в течение которого обратный ток достигает 1,2 установившегося значения, называют временем восстановления обратного сопротивления (/восст).

Таким образом, время /Уст определяет длительность процесса накопления неравновесных носителей заряда в приграничных к р-п-переходу я- и р-слоях при отпирании диода, а время /Е0ССТ -длительность процесса их рассасывания при запирании. В диодах с несимметричным р-я-переходом (рр > я ) главную роль в этих процессах играют соответственно накопление и рассасывание дырок в базе.

Значения параметров /уст и 4осст в импульсных диодах могут составлять от долей наносекунды до сотен наносекунд (1 не = 10~9 с). Малые значения этих параметров достигаются за счет уменьшения времени жизни дырок в базе. Импульсные диоды имеют малую площадь р-га-перехода, а их базовый слой обладает повышенной реком-

национной способностью носителей заряда. Последняя обусловливается примесью золота, атомы которого создают эффективные центРы рекомбинации (ловушки) для носителей заряда.

Кремниевые стабилитроны. В полупроводниковых стабилитронах

пользуется свойство незначительного изменения обратного напря-ппобЯ НЭ п пеРеходе ПРИ электрическом (лавинном или туннельном) шое 06 ис -19). Как указывалось, это связано с тем, что неболь-КОГо УВеличение напряжения на р-я-переходе в режиме электричес-Ря пробоя вызывает более интенсивную генерацию носителей за-и значительное увеличение обратного тока. Участок /-2 на



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 [ 13 ] 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166



© 2018 ООО "Стрим-Лазер": Лазерная гравировка.
Все права нотариально заверены. Копирование запрещено.